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2020.08.13 15:34

2017허448 등록무효(특)

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사건번호 2017허448 등록무효(특)
판례제목 2017허448 등록무효(특)
출원번호 제10-741228호
분야 특허/실용신안
판결일 2017-08-25
법원명 특허법원
원고 주식회사 티에스이 대표이사 권○○, 김○○
피고 주식회사 아이에스시 대표이사 정○○
판사 오영준 권동주 김동규
판결결과 등록무효(특)
주문 1. 특허심판원이 2016. 11. 30. 2016당1861호 사건에 관하여 한 심결을 취소한다.
2. 소송비용은 피고가 부담한다.
청구취지 주문과 같다.
기초사실 기초사실
가. 이 사건 심결의 경위
1) 원고는 2016. 6. 29. 아래 나.항 기재 이 사건 특허발명의 등록 이전인 2007. 3. 12.자 보정에서 청구항 1, 2에 신규사항이 추가되었고, 이 사건 특허발명의 청구항 1, 2, 4 내지 10에 기재불비 사유가 있으며, 청구항 1은 비교대상발명 1에 의해서 신규성이 부정되고, 청구항 1, 2, 4 내지 10은 비교대상발명 1 내지 621)에 의하여 진보성이 부정된다고 주장하며, 피고를 상대로 특허심판원 2016당1861호로 이 사건 특허발명에 대한 특허무효심판을 청
구하였다.
2) 특허심판원은 2016. 11. 30. ‘2007. 3. 12.자 보정은 신규사항 추가에 해당하지 아니하고, 이 사건 특허발명의 청구항 1, 2, 4 내지 10에는 기재불비 사유가 없으며, 청구항 1은 비교대상발명 1에 의하여 신규성이 부정되지 아니하고, 청구항 1, 2, 4 내지 10은 비교대상발명 1 내지 6에 의하여 진보성이 부정되지도 아니한다’는 이유로 원고의 위 심판청구를 기각하는 이 사건 심결을 하였다.

나. 이 사건 특허발명(갑 제2, 3호증)
○ 발명의 명칭: 이방도전성22) 커넥터 및 프로브 부재 및 웨이퍼 검사 장치 및 웨이퍼 검사 방법
○ 우선일/ 국제출원일/ 번역문제출일/ 등록일/ 등록번호: 2003. 2. 18./ 2004. 2. 13./ 2005. 8. 10./ 2007. 7. 12./ 제10-741228호
○ 특허권자: 피고23)
○ 발명의 개요
이 사건 특허발명은 웨이퍼에 형성된 복수의 집적회로의 전기적 검사를 웨이퍼의 상태에서 할 수 있는 이방도전성 커넥터, 이방도전성 커넥터를 구비한 프로부 부재 및 웨이퍼 검사 장치, 프로브 부재를 사용한 웨이퍼 검사방법에 관한 것이다(식별번호 [0001]).
종래의 직경이 8인치 이상이고 검사 전극 수가 5,000개 이상인 웨이퍼에 대응하는 이방도전성 엘라스토머24) 시트는 도전부에 충분한 도전성 입자가 충전되지 않아 도전부의 도전성이 저하되고, 절연부에 도전성 입자가 잔존하여 절연성 확보가 곤란하다는 문제점 및 돌기형 전극을 갖는 집적회로에 대해서는 내구성이 저하되는 문제점이 있었다(식별번호 [0022]~[0025]).
이 사건 특허발명의 기술적 과제는 검사 대상인 8인치 이상인 웨이퍼에 대한 위치 정렬 및 보유지지 고정을 쉽게 행할 수 있고, 모든 접속용 도전부에 대하여 양호한 도전성을 확실하게 얻을 수 있으며, 인접하는 접속용 도전부사이의 절연성을 확실하게 얻을 수 있고, 반복하여 사용한 경우에도 장시간에 걸쳐 양호한 도전성이 유지되는 이방도전성 커넥터를 제공하는 것이다(식별번호 [0032]).
○ 청구범위
【청구항 1】 도전성 입자가 함유된 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부가 절연부에 의해 서로 절연된 상태에서 배치된 기능부를 갖는 탄성 이방도전막을 구비하여 이루어지는 이방도전성 커넥터에 있어서(이하‘구성요소 1-1’이라 한다), 상기 탄성 이방도전막의 기능부에서의 접속용 도전부의 두께를 T1이라 하고, 해당 기능부에서의 절연부의 두께를 T2라 했을
때, 비(T2/T1)가 0.9 이상 1.0 미만이고(이하 ‘구성요소 1-2’라 한다), 상기탄성 이방도전막의 기능부의 일면이 평탄하고, 이 평탄한 일면이 검사 대상에 접촉되는 것(이하 ‘구성요소 1-3’이라 한다)을 특징으로 하는 이방도전성커넥터(이하 ‘이 사건 제1항 발명’이라 하고, 나머지 청구항도 같은 방식으로 부른다).
【청구항 2】 웨이퍼에 형성된 복수의 집적회로 각각에 대하여, 해당 집적회로의 전기적 검사를 웨이퍼의 상태에서 행하기 위해 이용되는 이방도전성 커넥터에 있어서, 검사 대상인 웨이퍼에 형성된 모든 또는 일부의 집적회로에서의 피검사 전극이 배치된 전극 영역에 대응하여 각각 두께 방향으로 관통하는 복수의 이방도전막 배치용 구멍이 형성된 프레임판과, 이 프레임판의 각 이방도전막 배치용 구멍 내에 배치되어, 해당 이방도전막 배치용 구멍의 주변부에 지지된 복수의 탄성 이방도전막으로 이루어지고(이하 ‘구성요소2-1’이라 한다), 상기 탄성 이방도전막 각각은 검사 대상인 웨이퍼에 형성된 집적회로의 피검사 전극에 대응하여 배치된 자성을 띠는 도전성 입자가 밀하게 함유되어 이루어지는 두께 방향으로 신장하는 복수의 접속용 도전부와, 이들의 접속용 도전부를 서로 절연하는 절연부를 갖는 기능부를 구비하여 이루어지며(이하 ‘구성요소 2-2’라 한다), 상기 탄성 이방도전막의 기능부에서의 접속용 도전부의 두께를 T1이라 하고, 해당 기능부에서의 절연부의 두께를 T2라 했을 때, 비(T2/T1)가 0.9 이상 1.0 미만이고(이하 ‘구성요소 2-3’이라 한다), 상기 탄성 이방도전막의 기능부의 일면이 평탄하고, 이 평탄한 일면이 검사 대상에 접촉되는 것(이하 ‘구성요소 2-4’라 한다)을 특징으로 하는 이방도전성 커넥터.
【청구항 3】 삭제
【청구항 4】 제2항에 있어서, 상기 탄성 이방도전막 각각의 기능부는, 적어도 평탄면으로 된 일면이 피지지부보다 돌출하도록 형성되어 있고, 상기 모든 탄성 이방도전막의 기능부 일면의 면적 총합을 S1이라 하고, 검사 대상인 웨이퍼에서의 피검사 전극이 형성된 측의 웨이퍼의 표면 면적을 S2라 했을 때, 비(S1/S2)가25) 0.001 내지 0.3인 것을 특징으로 하는 이방도전성 커넥터.
【청구항 5】 제4항에 있어서, 상기 프레임판의 선열팽창 계수가 -1×10-7 내지 3×10-5/K 인 것을 특징으로 하는 이방도전성 커넥터.
【청구항 6】 웨이퍼에 형성된 복수의 집적회로 각각에 대하여, 해당 집적회로의 전기적 검사를 웨이퍼의 상태에서 행하기 위해 이용되는 프로브 부재이며, 검사 대상인 웨이퍼에 형성된 집적회로에서의 피검사 전극의 패턴에 대응하는 패턴을 따라 검사 전극이 표면에 형성된 검사용 회로 기판과, 이 검사용 회로 기판의 표면에 배치된 제5항에 기재된 이방도전성 커넥터를 구비하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 프로브 부재.
【청구항 7】 제6항에 있어서, 상기 이방도전성 커넥터에서의 프레임판의 선열팽창 계수가 -1×10-7 내지 3×10-5/K이며, 검사용 회로 기판을 구성하는 기판 재료의 선열팽창 계수가 1×10-7 내지 3×10-5/K인 것을 특징으로 하는 프로브 부재.
【청구항 8】 제7항에 있어서, 상기 이방도전성 커넥터 위에, 절연성 시트와, 이 절연성 시트를 그 두께 방향으로 관통하여 신장하고, 피검사 전극의 패턴에 대응하는 패턴을 따라 배치된 복수의 전극 구조체로 이루어지는 시트형 커넥터가 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 프로브 부재.
【청구항 9】 웨이퍼에 형성된 복수의 집적회로 각각에 대하여, 해당 집적회로의 전기적 검사를 웨이퍼의 상태에서 행하는 웨이퍼 검사 장치에 있어서, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 프로브 부재를 구비하여 이루어지며, 해당 프로브 부재를 거쳐서 검사 대상인 웨이퍼에 형성된 집적회로에 대한 전기적 접속이 달성되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 장치.
【청구항 10】 웨이퍼에 형성된 복수의 집적회로 각각을, 제6항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 프로브 부재를 거쳐서 검사기에 전기적으로 접속하고, 해당 웨이퍼에 형성된 집적회로의 전기적 검사를 실행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 검사 방법.

다. 선행발명
1) 선행발명 1(갑 제4호증)
2002. 10. 19. 공개된 대한민국 공개특허공보 특2002-0079350호에 실린 ‘집적화된 실리콘 콘택터 및 그 제작장치와 제작방법’에 관한 발명으로 주요 내용은 다음과 같다.
도 1에 도시된 바와 같이, 실리콘 콘택터(10)는 도전성입자를 함유하고 두께 방향으로 신장하는 도전성 실리콘부(12)와 절연 실리콘부(14)로 구성되며, 반도체 소자의 테스트를 수행하는 PCB인 소켓보드(24)에 탑재되어 있다. 소켓보드(24)의 접촉패드(26)에는 도전성 실리콘부(12)가 접촉되어 반도체소자의 볼리드(22)와 소켓보드(24)의 접촉패드(26)가 전기적으로 연결된다. 도전성 실리콘부(12)와 접촉패드(26)의 접촉을 확실히 하기 위해 도전성 실리콘부(16)는 h만큼 돌출되는 것이 바람직하고, h는 약 20~50μm인 것이 바람직하다(2면 하단).
2) 선행발명 2(갑 제5호증)
2001. 3. 30. 공개된 일본 공개특허공보 특개2001- 85085호에 실린 ‘회로 기판 검사용 어댑터 장치 및 회로 기판의 검사 방법 및 검사 장치’에 관한 발명으로 주요 내용은 다음과 같다.
종래 이방도전성 시트를 사용한 어댑터는 전기적 접속 상태가 안정적이지 못하므로, 필요한 전기적 접속을 확실하게 달성하고 온도 변화에 대해서도 전기적 접속 상태가 안정적으로 유지되어 접속 신뢰성이 높은 회로기판 검사용 어댑터 장치를 제공하기 위한 것이다(식별번호 [0005]~[0008]).
도 4에 도시된 바와 같이, 어댑터 본체(12)의 표면에는 커넥터층(15)이 일체적으로 접착 내지 밀착한 상태에서 형성되어 있다(식별번호 [0021]). 커넥터층(15)은 도전부(17)와 절연부(18)를 포함하고(식별번호 [0021]), 도전부(17)가 돌출부를 형성할 경우에는 돌출부의 돌출 높이는 커넥터층(15) 전체 두께의 8% 이상인 것이 바람직하다(식별번호 [0026]).
3) 선행발명 5(갑 제8호증)
2002. 11. 22. 공개된 일본 공개특허공보 특개2002-334732호에 실린 ‘이방도전성 접속기 및 그 제조 방법 및 프로브 부재’에 관한 발명으로 주요내용은 다음과 같다.
검사해야 할 웨이퍼가 8인치 이상의 대면적이고 그에 형성된 집적회로의 피검사 전극의 피치가 작은 것이라도, 웨이퍼에 대한 위치 맞춤 및 지지 고정을 용이하게 수행할 수 있고 모든 접속용 도전부에 대해서 양호한 도전성을 확실하게 얻음과 동시에 인접하는 접속용 도전부와의 절연성을 확실하게 얻을 수 있으며, 온도 변화에 대해서도 양호한 전기적 접속상태가 안정적으로 유지되고, 각 피검사 전극에 대한 접속 신뢰성이 높은 이방도전성 커넥터 및 프로브 부재를 제공한다(식별번호 [0019]).
프레임판(10)은 선열팽창 계수가 3×10-5/K 이하의 것을 이용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 -1×10-7~1×10-5/K, 특히 바람직하게는 1×10-6~8×10-6/K이다(식별번호[0044]).
도 11에 도시된 바와 같이, 웨이퍼 검사 장치는 검사 대상인 웨이퍼(6)의 피검사 전극(7)의 각각과 테스터와의 전기적 접속을 하는 프로브 부재(1)를 가지며, 프로브 부재(1)는 전극구조체(42)를 포함한다(식별번호 [0075]).
기판은 선열팽창 계수가 3×10-5/K 이하의 것을 이용하는 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 1×10-7~1×10-5/K, 특히 바람직하게는 1×10-6~6×10-6/K이다(식별번호 [0076]).
시험용 웨이퍼의 제작에서 직경이 8인치인 웨이퍼(6)에는 각각 치수가 20mm×20mm의 정사각형 집적회로(L)이 40개 형성되었다. 직접회로(L) 각각은 합계 19개의 피검사 전극 영역 A1~A19를 가지며, 피검사 전극영역 A1~A7 및 A9~19에는 각각 종방항의 치수가 80μm이고 횡방향의 치수가 200μm인 직사각형 13개의 피검사 전극이 120μm의 피치로 종방향으로 일렬
로 배열되어 있고, 피검사 전극영역 A8에는 각각 종방항의 치수가 80μm이고 횡방향의 치수가 200μm인 직사각형 26개의 피검사 전극이 120μm의 피치로 종방향으로 일렬로 배열되어 있다. 집적회로 L 각각의 피검사 전극의 총수는 260개이며, 웨이퍼 전체에서 10,400개이다(식별번호 [0096]).
도 18, 19에 도시된 바와 같이, 직경 8인치의 프레임판(10)에 피검사 전극영역 A1~A7 및 A9~19에 대응하여 형성된 이방도전막 배치용 구멍(B1~B7, B9~B17)은 종방향 치수가 1700μm이고 횡방향 치수가 600μm이며, 피검사 전극영역 A8에 대응하여 형성된 이방도전막 배치용 구멍(B8)은 종방향 치수가 3,260μm이고 횡방향 치수가 600μm이다(식별번호 [0097]).
시험용 웨이퍼 W의 피검사 전극 영역 A1~A7 및 A9~A19에 대응하는 탄성이방도전막의 각각은 종방향의 치수가 2500μm, 횡방향의 치수가 1400μm이다. 탄성이방도전막의 각각의 기능부에는 13개의 접속용 도전부가 120μm의 피치로 종방향으로 일렬로 배열되어 있고, 접속용 도전부의 각각은 종방향의 치수가 60μm, 횡방향의 치수가 200μm, 두께가 150μm이며 기능부에서의 절연부의 두께가 100μm이다. 또한, 탄성이방도전막의 각각의 피지지부의 두께(두 갈래 부분의 한쪽의 두께)는 20μm이다. 한편 시험용 웨이퍼 W의 피검사 전극 영역 A8에 대응하는 탄성이방도전막은 종방향의 치수가 4060μm, 횡방향의 치수가 1400μm이다. 탄성이방도전막의 각각의 기능부에는 26개의 접속용 도전부가 120μm의 피치로 종방향으로 일렬로 배열되어 있고, 접속용 도전부의 각각은 종방향의 치수가 60μm, 횡방향의 치수가 200μm, 두께가 150μm이며 기능부에서의 절연부의 두께가 100μm이다. 또한, 탄성이방도전막의 각각의 피지지부의 두께(두 갈래 부분의 한쪽의 두께)는 20μm이다(식별번호 [0101]).
5) 선행발명 3, 4, 6, 7(갑 제6호증, 갑 제7호증의 1, 2, 갑 제9호증의 1, 2, 갑 제14호증)
선행발명 3은 2001. 4. 6. 공개된 일본 공개특허공보 특개2001-93338호에 실린 ‘이방도전성 시트 및 그 제조 방법’에 관한 것이고, 선행발명 4는 2001. 8. 3. 공개된 일본 공개특허공보 특개2001-210402호에 실린 ‘이방도 전성 시트 및 접속기’에 관한 것이다. 선행발명 6은 특허법원 2015허7773 사건에서 갑 제10호증의 2로 제출된 도면으로, 특허법원 2016. 10. 21. 선고 2015허7773 판결에서 위 도면은 2001년 1월 무렵 이미 국내에서 공지되었을뿐만 아니라 공연히 실시되었음이 인정되었으며, 선행발명 7은 2000. 6. 16. 공개된 일본 공개특허공보 특개2000-164041호에 실린 ‘이방도전성 시트’에 관한 것이다. 다만 선행발명 3, 4, 6, 7은 이 사건 특허발명과 대비하지 아니하므로 발명 내용의 기재를 생략한다.
【인정 근거】 다툼 없는 사실, 갑 제1 내지 9, 14호증의 각 기재(가지번호포함), 변론 전체의 취지
당사자의 주장 요지 당사자의 주장
1) 원고 주장의 요지
이 사건 제1항 발명의 구성요소 1-2 중 ‘두께 비율 수치범위’의 한정은 선행발명들보다 효과가 이질적이거나 현저하지 아니하다.
이러한 전제에서 보면, 이 사건 제1항 발명은 선행발명 1, 2, 6에 의하여 신규성이 부정될 뿐만 아니라 이 사건 제1, 2, 4 내지 10항 발명은 선행발명
1 내지 7에 의하여 진보성이 부정되므로, 그 특허가 무효로 되어야 한다.
이와 결론을 달리한 이 사건 심결은 위법하므로 취소되어야 한다.
2) 피고 주장의 요지
이 사건 제1항 발명의 구성요소 1-2 중 ‘두께 비율 수치범위’의 한정은 도전성 입자의 횡방향 이동 방해를 최소화하여 도전부와 절연부 우수한 전기저항 특성 및 높은 제조 수율을 달성하는 임계적 의의나 이질적인 효과가 있다.
따라서 이 사건 제1항 발명은 선행발명 1, 2, 6에 의하여 신규성이 부정되지 아니하며, 이 사건 제1, 2, 4 내지 10항 발명은 선행발명 1 내지 7에 의하여 진보성이 부정되지 아니한다.
이 사건 심결의 당부에 대한 판단 이 사건 제1항 발명의 신규성 부정 여부
1) 관련 법리
구성요소의 범위를 수치로써 한정하여 표현한 발명이 그 출원 전에 공지된 발명과 사이에 수치한정의 유무 또는 범위에서만 차이가 있는 경우에는, 그 한정된 수치범위가 공지된 발명에 구체적으로 개시되어 있거나, 그렇지 않더라도 그러한 수치한정이 그 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자(이하 ‘통상의 기술자’라 한다)가 적절히 선택할 수 있는 주지ㆍ관용의 수단에 불과하고 이에 따른 새로운 효과도 발생하지 않는다면 그 신규성이 부정된다. 그리고 한정된 수치범위가 공지된 발명에 구체적으로 개시되어 있다는 것에는, 그 수치범위 내의 수치가 공지된 발명을 기재한 선행문헌의 실시예 등에 나타나 있는 경우 등과 같이 문언적인 기재가 존재하는 경우 외에도 통상의 기술자가 선행문헌의 기재 내용과 출원시의 기술상식에 기초하여 선행문헌으로부터 직접적으로 그 수치범위를 인식할 수 있는 경우도 포함된다(대법원 2013. 5. 24. 선고 2011후2015 판결 등 참조).
2) 이 사건 제1항 발명과 선행발명 1의 구성 대비 (대비표 1)
3) 검토
가) 위 구성 대비표에서 보는 바와 같이 이 사건 제1항 발명의 구성요소 1-1, 1-3은 선행발명 1에 그대로 포함되어 있고, 이에 대해서는 당사자 사이에 다툼도 없다.
나) 구성요소 1-2의 경우 선행발명 1의 대응구성요소에서도 도전성 실리콘부가 절연 실리콘부보다 돌출된다는 점은 나타나 있으나, 구성요소 1-2에서는 그 돌출 정도를 접속용 도전부의 두께와 절연부의 두께의 비로 한정한 반면, 대응구성요소에서는 도전성 실리콘부의 돌출 높이를 직접 한정하였다는 점에서 차이가 있다.
그러나 ① 구성요소 1-2에 의하면 접속용 도전부는 절연부보다 약간 돌출된 구조를 가지게 되는데, 비록 선행발명 1에 도전성 실리콘부의 두께가 기재되어 있지 않더라도 통상의 기술자로서는 선행발명 1의 대응구성요소와 도1로부터 도전성 실리콘부(12)가 절연 실리콘부(14)보다 약간 돌출된 구조 및 형상이라는 점을 직접 인식할 수 있는 점, ② 이 사건 특허발명 명세서 중 발명의 상세한 설명에 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정이 임계적 의의가 있다거나 이질적 작용효과가 있음을 인정할만한 기재가 없는 점, ③ 이방도전성 시트에서 도전부의 두께는 일반적으로 0.3~2mm 정도이고(당사자들도 2017. 7. 7. 제2회 변론에서 이를 인정하였다), 선행발명 1에서 실리콘 도전부의 돌출 높이가 20~50μm이므로, 선행발명 1에서 실리콘 도전부의 두께와 절연 실리콘부의 두께 비율은 0.84~0.9926)로 구성요소 1-2의 두께 비율 수
치한정 범위와 상당 부분 중첩되는 점 등을 종합하여 보면, 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정은 통상의 기술자가 적절히 선택할 수 있는 주지ㆍ관용 수단에 불과하거나 통상의 기술자가 선행발명 1과 출원시의 기술상식에 기초하여 선행발명 1로부터 이를 직접 인식할 수 있다고 봄이 타당하다. 이러한 점을 앞서 본 법리에 비추어 보면, 구성요소 1-2와 선행발명 1의 대응구성요소는 실질적으로 동일하다.
따라서 이 사건 제1항 발명은 선행발명 1에 의하여 신규성이 부정된다.
다) 이에 대해서 피고는 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정은 도전성 입자의 횡방향 이동 방해를 최소화하여 도전부와 절연부의 우수한 전기저항 특성 및 높은 제조 수율을 달성할 수 있는 현저하거나 이질적인 작용효과가 있으므로, 통상의 기술자가 선행발명 1로부터 이를 인식할 수 없다는 취지로 주장한다.
그러나 다음과 같은 점을 종합하여 보면 구성요소 1-2의 수치한정 범위가 임계적 의의를 가진다거나 이질적 작용효과가 있다고 보기 어려우므로, 피고의 위 주장은 이유 없다.
① 구성요소 1-2의 두께 비율 한정과 관련하여 이 사건 특허발명의 명세서에는 두께의 비는 0.9 이상이고, 바람직하게는 0.92 내지 1.2이며, 두께의 비가 1인 경우에는 제조 수율이 향상되고 도전부의 전기 저항 특성 개선과 내구성이 양호해지는 반면, 두께의 비가 과소인 경우에는 전기 저항이 높아지거나, 전기 저항이 낮아질 수 있다고만 기재되었을 뿐이다. 그런데 두께의 비가 1인 경우는 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정 범위 밖이다.
[【0132】 본 발명의 이방 도전성 커넥터에 있어서는, 탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)에서의 접속용 도전부(22)의 두께를 T1이라 하고, 해당 기능부(21)에서의 절연부(23)의 두께를 T2라 했을 때, 접속용 도전부(22)의 두께에 대한 절연부(23)의 두께의 비(T2/T1)가 0.9 이상이 되고, 바람직하게는 0.92 내지 1.2가 된다. 본 예에서는, 탄성 이방 도전막(20)의 기능부(21)는 그 양면이 평탄면으로 되어 있고, 접속용 도전부(22)의 두께에 대한 절연부(23)의 두께의 비(T2/T1)가 1이다. 이와 같이 비(T2/T1)가 1인 경우에는, 해당 이방 도전성 커넥터의 제조에 있어서 수율이 향상되어, 피검사 전극이 돌기형인 것이라도 접속용 도전부의 변형에 의해 해당 접속용 도전부의 전기 저항의 상승이 억제되어, 반복 사용에서의 내구성이 한층 양호해지므로, 특히 바람직하다.
【0133】 이 비(T2/T1)가 과소인 경우에는, 이방 도전성막(20)의 형성에 있어서 성형 재료층에 강도 분포를 갖는 자장을 작용시켰을 때에, 해당 성형 재료층 중의 도전성 입자를 접속용 도전부(22)가 되어야 할 부분에 집합시키기 어려워져 얻을 수 있는 접속용 도전부(22)의 전기 저항이 높아지거나, 인접하는 접속용 도전부(22) 사이의 전기 저항이 낮아지거나 한다. ]
② 더욱이 두께의 비가 과소인 경우에 관해서는 도전부와 절연부가 평평한 구조인 것과 도전부가 절연부보다 2배 정도 돌출된 구조인 것의 비교례만 기재되어 있는데, 이러한 비교례 역시 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정 범위 밖의 것이다. 또한, 도전부가 절연부보다 2배 정도 도출된 구조는 제작하기도 힘들 뿐 아니라 구조적으로도 매우 취약하여 전기저항 특성이 도 전부와 절연부가 평평한 구조보다 매우 나쁘다는 것은 통상의 기술자라면 충분히 예상할 수 있다.
[【0325】 탄성 이방 도전막 … 기능부에서의 절연부의 두께는 120㎛이며, 접속용 도전부의 두께에 대한 절연부 두께의 비(T2/T1)가 1이다. (생략)
【0326】 (생략) 이하, 이들의 이방 도전성 커넥터를 이방 도전성 커넥터(A1) 내지 이방 도전성 커넥터(A10)로 한다.
【0330】 이렇게 하여 얻게 된 이방 도전성 커넥터의 탄성 이방 도전막에 대하여 구체적으로 설명하면, … 절연부의 두께는 70㎛이며, 접속용 도전부의 두께에 대한 절연부 두께의 비(T2/T1)가 0.58이다.
【0331】 이하, 이들의 이방 도전성 커넥터를 이방 도전성 커넥터(Bl) 내지 이방도전성 커넥터(B10)로 한다. ]
③ 따라서 위와 같은 기재나 비교례를 통해 구성요소 1-2의 두께 비율수치한정이 현저한 효과 또는 이질적 효과가 있음을 확인하거나 추인할 수는 없으며, 달리 이 사건 특허발명의 명세서에 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정에 따른 현저하거나 이질적인 작용효과가 있음을 확인하거나 추인할 수 있는 기재도 없다.

이 사건 특허발명의 진보성 부정 여부
1) 이 사건 제1항 발명의 진보성 부정 여부
가) 앞서 이 사건 제1항 발명과 선행발명 1의 구성 대비에서 본 바와 같이, 접속용 도전부(도전성 실리콘부)의 절연부(절연 실리콘부)에 대한 돌출정도를 이 사건 제1항 발명은 접속용 도전부의 두께와 절연부의 두께의 비로 한정한 반면, 선행발명 1의 대응구성요소는 도전성 실리콘부의 돌출 높이를 직접 한정하였다는 점에서만 차이가 있고, 나머지 구성요소는 모두 동일하다.
나) 그러나 갑 제4, 5호증의 각 기재와 변론 전체의 취지에 의하여 인정되는 다음과 같은 사정이나 이유에 비추어 보면, 통상의 기술자는 선행발명1 또는 선행발명 1에 선행발명 2를 결합하여 위와 같은 차이점을 쉽게 극복하고 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정을 용이하게 도출할 수 있다고 봄이 타당하다.
① 앞서 본 바와 같이 선행발명 1에서 실리콘 도전부의 두께와 절연 실리콘부의 두께 비율은 0.84~0.99로 구성요소 1-2의 두께 비율 수치한정 범위와 상당 부분 중첩되고, 그로 인한 작용효과도 별다른 차이가 없다.
② 선행발명 2 명세서 중 식별번호 [0021], [0026], [0066]의 기재 및 도 4에 도시된 바에 따르면, 도전부(17)는 절연부(18)보다 돌출된 돌출부를 형성하고, 그 돌출부의 높이는 커넥터층의 전체 두께의 8% 이상이며 실시예에서는 10%라고 하였는데, 이를 이 사건 제1항 발명 중 구성요소 1-2의 두께 비율로 환산하면 0.9 내지 0.92627)이 된다.
[【0021】 이상과 같은 어댑터 본체 12의 표면에는 커넥터층 15가 일체적으로 접착 내지 밀착한 상태에서 형성되어 있다. 이 커넥터층 15는 도 4에 나타난 바와 같이, 절연성 탄성 고분자 물질 E 중에 도전성 입자 P가 조밀하게 충전되어서 이루어지는 다수의 도전부 17이 접속용 전극 40상에 위치된 상태이고 또한 인접하는 도전부 17이 서로 절연부 18에 의해 절연된 상태로 되어 있다. 각 도전부 17에서는 도전성 입자 P가 두께 방향으로 늘어서도록 배향되어 있고, 두께 방향으로 연장되는 도전로가 형성되어 있다. 이 도전부 17은 두께 방향으로 가압되어 압축되었을 때 저항값이 감소해 도전로가 형성되는, 가압 도전부라도 좋다. 이것에 대해서 절연부18은 가압되었을 때도 두께 방향으로 도전로가 형성되지 않는 것이다.
【0026】 이와 같이 도전부 17이 돌출부를 형성할 경우에는 당해 돌출부의 돌출 높이 h는 커넥터층 15의 전체 두께 t(t=h+d, d는 절연부 18의 두께이다)의 8% 이상인 것이 바람직하다. (생략)
【0066】 (생략) 이 상태에서 실온에서 24시간 방치하여 경화시키고 이것에 의해 도전부의 두께 t가 0.3 mm, 절연부의 두께 d가 0.27 mm, 도전부의 돌출 비율(t-d)/t가 10%의 커넥터층을 형성하고 가지고 회로 기판 검사용 어댑터 장치를 제조했다.]
③ 선행발명 1, 2는 기술분야가 동일하고, 선행발명 1, 2에 이들의 결합을 방해할 만한 취지의 기재를 찾아볼 수 없다.
다) 따라서 이 사건 제1항 발명은 선행발명 1로부터 또는 선행발명 1, 2의 결합으로부터 쉽게 발명할 수 있으므로 진보성 부정된다.
2) 이 사건 제2항 발명의 진보성 부정 여부
가) 이 사건 제2항 발명의 구성요소 2-2 내지 2-4는 각각 이 사건 제1항 발명의 구성요소 1-1 내지 1-3과 실질적으로 동일한데, 구성요소 2-2 내지 2-4는 앞서 본 바와 같이 선행발명 1의 대응구성요소와 실질적으로 동일하거나 선행발명 1 또는 선행발명 1, 2의 결합으로부터 쉽게 도출할 수 있으므로, 이 사건 제1항 발명과 구별되는 이 사건 제2항 발명의 기술적인 특징은 구성요소 2-1이다. 이하에서는 구성요소 2-1이 선행발명으로부터 쉽게 도출될 수 있는지를 살펴본다.
나) 이 사건 제2항 발명의 구성요소 2-1과 선행발명 5의 대응구성요소를 대비하면 다음과 같다. (대비표 20
다) 위 구성대비표에서 본 바와 같이 이 사건 제2항 발명의 구성요소 2-1과 선행발명 5의 대응구성요소는 모두 웨이퍼에 형성된 복수의 집적회로 각각에 대하여 전기적 검사를 웨이퍼의 상태에서 행하기 위한 커넥터로, 이방도전막 배치용 구멍이 형성된 프레임판과 각 이방도전막 배치용 구멍 내에 배치되는 탄성 이방도전막이라는 점에서 동일하다.
라) 선행발명 1, 2, 5는 기술분야가 동일하고, 선행발명 1, 2, 5에 이들의 결합을 방해할 만한 취지의 기재를 찾아볼 수 없다.
마) 따라서 이 사건 제2항 발명은 통상의 기술자가 선행발명 1 또는 선행발명 1, 2의 결합에 선행발명 5를 결합하여 쉽게 발명할 수 있으므로 진보성이 부정된다.
3) 이 사건 제4항 발명의 진보성 부정 여부
가) 이 사건 제4항 발명은 이 사건 제2항 발명에 아래 대비표에서 보는 바와 같은 기술적 특징을 부가한 것이다. 이 사건 제4항 발명의 기술적 특징을 선행발명 5의 대응구성요소와 대비하면 다음과 같다. (대비표 3)
나) 선행발명 5의 대응구성요소에도 탄성 이방도전막(20)의 기능부(21)가 피지지부(25)보다 돌출되어 형성된다는 점은 나타나 있다.
다) 다만 선행발명 5의 명세서에는 웨이퍼의 표면적과 탄성 이방도전막의 기능부 일면의 면적비가 명시되지는 아니하였다. 그러나 선행발명 5의 명세서에서 웨이퍼는 직경이 8인치의 원형임이 나타나 있으므로 웨이퍼의 표면적이 32,413㎟28)임을 알 수 있다. 또한, 선행발명 5의 도 18, 19에 도시된 바와 같이, 프레임판(10)에는 40개의 정사각형 집적회로(L)가 있고, 1개의 정사각형 집적회로(L)에는 18개의 이방도전막 배치용 구멍(B1~B7, B9~B17)이종방향 1,700μm, 횡방향 600μm으로 형성되며, 1개의 이방도전막 배치용 구멍(B8)은 종방향 3,260μm, 횡방향 600μm로 형성되어 있으므로, 프레임판에 배치된 이방도전막의 기능부 일면의 면적이 812.64㎟[=40개×(18개×1,700μm×600μm+1개×3,260μm×600μm)]임을 알 수 있다(갑 제8호증, 식별번호[0096], [0097] 및 도 18, 19 참조). 이를 기준으로 탄성 이방도전막 기능부의 면적과 웨이퍼 표면 면적의 비율을 산출하면 0.025(=812.64㎟/32,413㎟)가 되는데, 이는 이 사건 제4항 발명의 수치한정 범위에 속한다.
이처럼 이 사건 제4항 발명에 부가된 기술적인 특징은 선행발명 5에 명시적으로 또는 묵시적으로 모두 나타나 있다.
라) 앞서 본 바와 같이 선행발명 1, 2, 5는 기술분야가 동일하고, 선행발명 1, 2, 5에 이들의 결합을 방해할 만한 취지의 기재를 찾아볼 수 없다.
마) 따라서 이 사건 제4항 발명은 통상의 기술자가 선행발명 1 또는 선행발명 1, 2의 결합에 선행발명 5를 결합하여 쉽게 발명할 수 있으므로 진보성이 부정된다.
4) 이 사건 제5항 발명의 진보성 부정 여부
가) 이 사건 제5항 발명은 이 사건 제4항 발명에 ‘프레임판의 선열팽창계수가 -1×10-7 내지 3×10-5/K’라는 수치한정을 부가한 것이다.
나) 그런데 선행발명 5의 명세서(갑 제8호증)에 ‘프레임판의 선열팽창 계수는 -1×10-7 내지 1×10-5/K인 것이 바람직하다’는 취지의 기재가 있으므로 (갑 제8호증, 식별번호 [0044]), 이 사건 제5항 발명의 기술적 특징은 선행발명 5에 그대로 나타나 있다.
다) 따라서 이 사건 제5항 발명은 통상의 기술자가 선행발명 1 또는 선행발명 1, 2의 결합에다가 선행발명 5를 결합하여 쉽게 발명할 수 있으므로 진보성이 부정된다.
5) 이 사건 제6항 내지 제10항 발명의 진보성 부정 여부
가) 이 사건 제6항 발명은 이 사건 제5항 발명에 프로부 부재와 회로 기판을 더 부가한 발명인데, 이 사건 제6항 발명의 프로브 부재와 회로기판은 각각 선행발명 5의 프로부 부재(1)와 검사용 회로기판(30)(갑 제8호증, 식별번호 [0075] 및 도 11 참조)과 동일하다.
나) 이 사건 제7항 발명은 이 사건 제6항 발명에 프레임판의 선열팽창 계수와 기판의 선열팽창 계수를 부가하여 한정한 것인데, 이 사건 제7항 발명의 프레임판 및 기판의 선열팽창 계수는 선행발명 5의 프레임판 및 기판의 선열팽창 계수(식별번호 [0044], [0076] 참조)와 동일하다.
다) 이 사건 제8항 발명은 이 사건 제7항 발명에다가 전극 구조체 구성을 더 부가한 발명인데, 이 사건 제8항 발명의 전극 구조체는 선행발명 5의 프로브 부재(1)에 포함되는 전극 구조체(42)와 동일하다.
라) 이 사건 제9, 10항 발명은 이 사건 제6, 7, 8항 발명 중 어느 하나의 프로브 부재를 이용한 웨이퍼 검사 장치 및 방법에 대한 것인데, 이는 선행발명 5의 프로브 부재(1)를 포함하는 웨이퍼 감사 장치로 웨이퍼에 형성된 복수의 집적회로에 대한 전기적 검사를 수행하는 방법과 실질적으로 동일하다.
마) 따라서 이 사건 제6항 내지 제10항 발명은 통상의 기술자가 선행발명1 또는 선행발명 1, 2의 결합에 선행발명 5를 결합하여 쉽게 발명할 수 있으므로 모두 진보성이 부정된다.

라. 소결
이상에서 본 바와 같이, 이 사건 제1항 발명은 신규성이 부정될 뿐만 아니라 진보성도 부정되고, 이 사건 제2, 4 내지 10항 발명은 진보성이 부정되므로, 그 특허가 무효로 되어야 한다. 이 사건 심결은 이와 결론을 달리하였으므로 위법하다.
결론 이 사건 심결의 취소를 구하는 원고의 청구는 이유 있으므로 이를 인용하기로 하여, 주문과 같이 판결한다.

대비표 1

대비표 2

대비표 3

 


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